Exposición
Evolución tecnológica
Transistores bipolares y MOS
( 1960 ) El funcionamiento del transistor bipolar se basa en el principio de semiconducción, dado a conocer por A. H. Wilson en 1931. El descubrimiento del efecto transistor por Shockley, Bardeen y Brattain fue publicado en 1948. Su descubrimiento los hizo merecedores del premio Nóbel de Física en 1956.
La palabra transistor se generó a partir de los términos TRANSfer resISTOR, ya que en determinadas condiciones de polarización, una débil corriente de entrada podría controlar la transferencia de una corriente varias veces mayor a la salida.
Dicha corriente contenía simultáneamente portadores de carga con polaridades tanto negativa como positiva, de ahí su calificativo de bipolar. Se necesitó una década de esfuerzo en su desarrollo y perfeccionamiento hasta llegar a ser una alternativa mejor a los tubos de vacío.
En 1960, Kang y Atalla de los laboratorios Bell, consiguen la construcción del primer transistor de estructura Metal Oxido Semiconductor (MOS), también denominado unipolar, por generar corrientes formadas por un único tipo de portadores. Es un dispositivo controlado por tensión en lugar de controlado por corriente, como ocurría en los transistores bipolares. Esto permite conseguir tasas de control altas con un bajo consumo de potencia.
La mejora en los procesos de fabricación de la tecnología MOS ha permitido que las dimensiones de los transistores se hayan ido reduciendo notoriamente. Los primeros subsistemas integrados MOS para su utilización en la construcción de computadores comienzan a aparecer a principios de los años 70.
Los transistores MOS son la base de los sistemas de computación actuales.